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Curriculum Vitae
Olivier Rousiere, Ph.D.
- PhD./Doctorat (1994-1997) : Physique/microelectronique/optoelectronique/semiconducteur These sur les procedes semiconducteurs et la caracterisation d'ingenierie : " Analyses par spectroscopie d'admittance d'interfaces passivees (HgZnTe)/ Etude du comportement bidimensionnel (2D) du gaz electronique en regime d'inversion". Institut National des Sciences Appliquées de Rennes (France). - Mention tes honorable
Ingenieur d'integration des procedes, Departement d'integration des procedes, MITEL SEMICONDUCTOR (ISO 9001/14000) Bromont, Qc, Canada depuis mars 1998 - Project leader (manager) : Developpement et Integration de procedes CMOS +MicroElectroMechanical (MEMS/accelerometres) circuits avec la compagnie americaine Analog Devices Inc.(CMP, Etch, Photo, front-end, back-end : staff management, R&D + production coordinator for this project, project responsible (time, money, options (eeprom))) - Responsable des qualifications electriques de procede submicronique : 0.8um, 6" conversion, optical switches, mesures & analyses des parametres electriques & design rules des procedes : high & low voltage, submicronic (0.8um), redaction de rapports techniques (ISO) - Extraction de parametres SPICE : HSPICE and AURORA (Level3, Bsim3v3) - Management & formation pour des ingenieurs MITEL - Developpement des procedes CMOS : 3micron highvoltage, 1.2 micron, 0.8 micron, electromechanical circuit on chip (CMOS+MEMS integration) - Design et verification des structures de test (test chips) (IC editor, Mycad) - Fiablilite des Device & procedes: WLR (wafer level reliability), stressmigration, electromigration, hot carriers, thin oxide reliability/ conception d'un nouveau systeme d'analyse pour MITEL (Qbd, Vbd, lifetime TDDB), surface/interface reliability (C-V, G-F)... : MIL specs, JEDEC standard knowledge. - Connaissance et mise a jour sur les techniques et procedes CMOS a petite geometrie (0.35 & 0.25 micron), CCD, SOI, bipolar and BiCMOS (Si, Si-Ge) processes. Process simulation (ATHENA / SUPREM) Ingenieur de Recherche et Developpement (R&D) (Ph.D. thesis) : (sept.1994-oct.1997) INSA (Institut National des Sciences Appliques) de Rennes (France) - Design, simulation, fabrication et caracterisation electrique de composants semiconducteur MOS en vue d'application optoelectronique (detection infrarouge) (II-VI : HgZnTe/HgCdTe) -interfaces/surfaces physics, passivation-admittance spectroscopy, spectroscopic ellipsometry, AFM- optoelectronics, device reliability - Conception de logiciels d'analyse d'interface: HP sofwares (using HP impedencemeter and capacimeter) + interface/surface analysis softwares (CV, capacitance-voltage, defect densities) - Analyses :Capacitance-voltage (C-V) & conductance frequency (G-F/G-W) de surface/interface et fiabilite (thin oxide, optical reliability and properties) - Travaux avec une equipe "III-V : InP, heterostructures (lasers and photorefractives) 2D & 0D, quantum dots, AFM, Numerical calculation & simulations - Conception d'une nouvelle methode de croissance du compose semiconducteur II VI HgZnTe : THM+SSR -Management et coordination d'une equipe technique : cryogen, vacuum, polishing, etching, electronics & electrical eng. - Collaboration avec des ingenieurs & scientifiques : IFREMER, CNRS, Universite de Rennes, SAGEM, SAT. Ingenieur eleve de production- (sept 1993- june 1994) - Centre commun de Microelectronique (CCMO) de Rennes (France) - Fabrication de composants silicium : photolithography, wet & dry etchings,front end (diffusion, implant, oxidization), back-end (metal and interdielectric depositions) - Caracterisation de transistors NMOS, bipolars, diodes: DC, AC, capacitance (CV, GF)
1995-1997 INSA de Rennes (France) Charge de cours en 4eme annee d'ingenieur de genie physique. Materials covered: solid state physics, semiconductor and ceramic devices, Cmos processes, suprem 1994-1995 Universite de Rennes (France) Charge de cours pour le 1er cycle de physique Materials covered : electrical analyses, semiconductor devices
- Electronique, microelectronique, optoelectronique, semiconducteur, solid state physics, heterostructures, calcul numerique, modellisation et simulation,optic/semiconductor -Electrical & electronics engineering, Optic (fibers, compounds, lasers, emitters and detectors diodes : PIN, avalanche, etc...), Electromagnetism, quantum mechanic, Signal analyses (treatment), Analog & digital electronics - expertise on device physics, wafer fab and process integration. Familiar with process simulator as Suprem and model parameter extraction for design (Hspice). - microprobe analysis and device characterization, redaction of technical reports, reliability - expertise on interface/surface characterization : spectroscopic admittance (CV, G-f), spectrometric ellipsometry, Atomic Force Microscopy, XPS - Rigueur et honnetete scientifique (soulignes dans les rapports de these)
Operating systems : Windows 95 , Macintosh (Apple), Unix Programming softwares : turbo pascal, HTML, matlab, turbo C, labview softwares : MS office (word, excel, power point), graphics (easyplot), mapple, RS1, matlab, PSN7, quarkxpress, photoshop, scanner, promis, presage Simulating & design tools : HSPICE, AURORA, suprem (ATHENA), IC editor, Mycad, labview,
Anglais : courant Francais : courant (langue maternelle) Espagnol : moyen Latin : moyen AFFILIATION:IEEE membership Seminaires/conferences, publications et lettres de reference : disponibles sur demande
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